공대생 말하는 고구마

1. 정의 Bootstrap회로는 출력 스위치의 상층(High side)에 있는 FET의 Gate-Source에 전원을 인가해주기 위해 사용되는 회로이다. High side FET의 Gate-Source에 전압을 인가하기 위해서 Source단보다 Gate의 전압이 높아야 한다. FET : NMOS에서 Gate단의 전압이 높아야 전자가 이동하여 전류가 흐른다. 일반적으로 FET의 Gate-Source단 중 Source가 GND인 것은 Low side의 것이다. 위 그림에서 High side에 Source단은 GND가 아니고 +단에 위치해 있다. 그렇기에 FET를 turn on시키기 위해 +의 Source단의 전압보다 높은 전압을 Gate에 인가하면 된다. 그렇기에 부트스트랩 회로를 사용한다. 2. 동작원리..

1. 정의 트랜지스터는 크게 접합형 트랜지스터(BJT, 전류제어, pnp와 npn으로 알려짐)와 전계효과트랜지스터(FET, Field-effect transistor, 장효과/필드효과 트랜지스터, 전압제어)로 분류할 수 있다. BJT(주로 증폭기능)는 Base, Collector, Emitter로 구성되며, MOSFET(주로 스위칭 작용)은 Gate, Drain, Source로 구성된다. 아래 그림은 반도체의 종류이다. 다이오드는 2개의 단자를 구성하고, 트랜지스터는 3개 이상의 단자를 구성한다. 트랜지스터는 접합형과 전계효과가 있다. 반도체 집적회로에는 주로 전계효과트랜지스터가 사용된다. 따라서 FET는 집적회로의 기본설계이기 때문에 플래쉬메모리(비휘발성), DRAM(휘발성)등은 기본 FET를 가지고 ..